- Esaki tunnel diode
- туннельный диод
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics. F.V Lisovsky . 2005.
Esaki tunnel diode
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Tunnel diode — A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode which is capable of very fast operation, well into the microwave frequency region, by using quantum mechanical effects. It was invented in 1958 by Leo Esaki, who in 1973 received the… … Wikipedia
Si/SiGe resonant interband tunnel diode — A Si/SiGe resonant interband tunnel diode (RITD) is a type of resonant interband tunnel diodeswhich is based on Si/SiGe materials.All types of tunnel diodes, including Si/SiGe resonant interband tunnel diodes,make use of the quantum mechanical… … Wikipedia
Si/SiGe resonant tunnel diode — A Si/SiGe resonant tunnel diode is a resonant tunnel diode based on Si/SiGe heterojunctions. Both hole tunneling and electron tunneling have been observed. But the performance of Si/SiGe resonant tunnel diode is limited mainly because of the… … Wikipedia
Tunnel-Diode — Schaltzeichen Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki – deshalb auch Esaki Diode genannt, ist ein Hochfrequenz Halbleiterbauelement. Inhaltsverzeichnis 1 … Deutsch Wikipedia
Tunnel Diode — Schaltzeichen Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki – deshalb auch Esaki Diode genannt, ist ein Hochfrequenz Halbleiterbauelement. Inhaltsverzeichnis 1 … Deutsch Wikipedia
tunnel — [ tynɛl ] n. m. • 1825 à propos de l Angleterre; angl. tunnel, du fr. tonnelle (XVIe) « longue voûte en berceau » 1 ♦ Galerie souterraine destinée au passage d une voie de communication (sous un cours d eau, un bras de mer; à travers une… … Encyclopédie Universelle
Esaki , Leo — (1925–) Japanese physicist Born in the Japanese city of Osaka, Esaki graduated in physics at the University of Tokyo in 1947, gaining his doctorate there in 1959. His doctoral work was on the physics of semiconductors, and in 1958 he reported an… … Scientists
Diode — Figure 1: Closeup of a diode, showing the square shaped semiconductor crystal (black object on left) … Wikipedia
Esaki, Leo — orig. Esaki Reiona born March 12, 1925, Ōsaka, Japan Japanese physicist. In 1956 he became chief physicist of the Sony Corp., and in 1960 he was awarded an IBM fellowship for further research in the U.S., subsequently joining IBM s research… … Universalium
Esaki — Leo Esaki (jap. 江崎 玲於奈, Esaki Reona; * 12. März 1925 in Ōsaka) ist ein japanischer Physiker. Bekannt wurde er durch die Erfindung der Esaki Diode. Esaki studierte Physik auf der Universität Tokio und machte 1947 seinen Bachelor of Science, 1959… … Deutsch Wikipedia
Esaki Leo — Leo Esaki (jap. 江崎 玲於奈, Esaki Reona; * 12. März 1925 in Ōsaka) ist ein japanischer Physiker. Bekannt wurde er durch die Erfindung der Esaki Diode. Esaki studierte Physik auf der Universität Tokio und machte 1947 seinen Bachelor of Science, 1959… … Deutsch Wikipedia
